D'Heterjunction huet am Mëttelfothus / kristallinde Silicon geformt (a-si: H / c-si) Interface extrahender Empheriom) Gelevunction (Shj, déi d'Siljunctiouns ass, déi d'Siljunction ass, deen den Interagjunction geformt gëtt (a-si: H / c-s / c-siady Empelyjunktion) gëeegent Emphuntimunction. D'Integratioun vun enger ultra't't' dei: he Passivung huet e grousse onmols Op héijen Openee lauschkuggit Vuert erreecht. Vu 750 mB). Dofir hat eng A-Si: H Kontaktheee, dauert mat entweder N-Typ oder geschwat a Sourbaséierséierungsfäegkeet a Sourceafangel attagéiert.
Longi Gréng Energy Technology C., Ltd. XU XU XU XUGIs. D'Auteuren hunn eng Phosphorrus Diffusioun Gettering Pretreating Strategie a benotzt Nanocrystalline Silicon (N / SOCRAMMART fir 26,56. -Type Silicon Solarzellen.
D'Auteuren bidden eng detailléiert Diskussioun iwwer dem Prozess vun der Gerät Entwécklung an Photvololtic-Verbesserung. Endlech, eng Kraaftverloscht Analyse gouf duerch d'Zukunft Entwécklung Wee vu p-Typ shj Sole Zommologie gemaach.
Postzäit: Mar-18-2024